Компания Intel расчитывает в 2009 году увеличить свое присутствие на рынке твердотельных накопителей за счет выпуска более емких устройств. А осуществить эти планы ей поможет переход на использование нового технологического процесса при изготовлении интегральных микросхем флэш-памяти – речь идет о начале выпуска 34-нм изделий, вместо 50-нм. Согласно полученной информации, новую технологию планируется внедрить уже к концу четвертого квартала 2009 года.
Результатом подобного технологического апгрейда станет выпуск устройств X18-M и X25-M в трех вариантах: объемом 80 Гб, 160 Гб и 320 Гб; а также топовых накопителей X25-E в двух вариантах: объемом 64 Гб и 128 Гб. Помимо увеличенной информационной емкости SSD-накопители улучшат и свои скоростные показатели – разработчики оснастят устройства более производительным контроллером.
Еще одним интересным продуктом компании Intel станут решения Braidwood – новое поколение Intel Turbo Memory. Устройства Braidwood будут представлять собой модули на основе 32-нм микросхем флэш-памяти, предназначенные для повышения производительности персональных компьютеров, основанных на системной логике Ibex Peak второго поколения. Речь идет о чипсетах Q57, P57 и H57. Модули Braidwood будут выпускаться трех модификациях: объемом 4 Гб, 8 Гб и 16 Гб, а выпуск устройств намечен на первый квартал 2010 года.