Компания Toshiba сообщила о разработке опытного образца памяти FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory - сегнетоэлектрическая энергонезависимая память с произвольным доступом к ячейкам). Заявляется, что прототип является самой быстрой и высокоплотной энергонезависимой памятью в мире. Несмотря на то, что объем микросхемы составляет всего лишь 128 мегабит (16 мегабайтов), она обладает внушительной производительностью - скорость чтения и записи составляет 1.6GB/s.
В настоящий момент производство FeRAM-памяти находится на самой ранней стадии развития и опытный образец был создан по 130нм. техпроцессу, который безусловно не является пиком прогресса, даже когда речь идет о производстве микросхем памяти. Однако, эта ситуация несомненно изменится, поскольку Toshiba продолжает развивать процесс производства FeRAM-памяти.
Помимо высочайшей производительности опытный образец заслуживает пристального внимания по еще одной причине. Новый прототип FeRAM использует интерфейс памяти DDR2, что должно облегчить его интеграцию с уже существующими компьютерными технологиями.
Помимо того, что FeRAM выглядит гораздо более эффективной, чем современная DRAM-память она обладает еще одним существенным преимуществом. Информация на модулях FeRAM-памяти сохраняется даже если было отключено питание, что делает ее идеальным решением для мобильных устройств. Компании Toshiba еще нужно проделать большую работу до того как мы увидим, как подобные устройства захватывают рынок, однако для нее это будет невероятно интересным направлением развития.