Южнокорейская компания Samsung в очередной раз доказывает не случайность своих лидирующих позиций на рынке интегральных микросхем памяти, официально заявляя о существенном прогрессе в области изготовления DRAM-микрочипов и устройств хранения информации на их основе. Речь идет о разработке первой в мире микросхемы оперативной памяти стандарта DDR3, вмещающей до 4 Гбит данных. Согласно официальным данным, устройства будут изготовляться по 50-нм технологическому процессу.
Как надеется Samsung, на основе новейших интегральных микросхем буду создаваться модули памяти RDIMM объемом 16 Гб для серверных систем, небуферизованной памяти объемом до 8 Гб для рабочих станций и настольных компьютеров, и компактные модули SODIMM объемом до 4 Гб для мобильных компьютеров.
Особенностью устройств является и низкая потребляемая мощность, что достигнуто снижением рабочего напряжения до 1,35 Вольт, вместо 1,5 Вольт для устройств предыдущего поколения. В результате, модули памяти будут потреблять на 40% энергии меньше – как за счет снижения «аппетитов» самих микрочипов, так и за счет их меньшего количества на печатной плате.